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采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si（100）衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅（SiC）薄膜．通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析，利用光致发光技术研究了样品的发光特性．分析表明，在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下，所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiCTO声子吸收，X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构．采用氙灯作为激发光源，不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光．