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以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性的影响,阐明了击穿特性的失效机理,为器件优化和电路设计提供参考。
0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究
【摘 要】
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以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性
【机 构】
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2016年6期
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