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研究了半导体压阻式压力传感器制作中的关键工艺--硅各向异性腐蚀.采用两种腐蚀液:m(TMAH):V(H2O)=50 g:50 ml和m(KOH):V(IPA):V(H2O)=50 g:15 ml:35 ml,在80～85℃腐蚀,均获得了较为理想的效果.制作的1 MPa多晶硅压力传感器的输出线性度、迟滞和重复性分别约为0.06%、0.02%和0.02%.