140K的12GHz低噪声砷化镓FET放大器

来源 :无线电通信技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:spring2011
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利用一种凹型结构的砷化镓FET和微波集成电路工艺,已研制出复盖11.7~12.2GHz频段的低噪声神化镓FET放大器;在-50℃时其噪声温度小于140K(NF=1.71dB)。 A low-noise gallium arsenide FET amplifier covering a frequency range of 11.7-12.2 GHz has been developed using a concave-shaped gallium arsenide FET and microwave integrated circuit (IC) technology. At -50 ° C, the noise temperature is less than 140 K (NF = 1.71 dB) .
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