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采用射频磁控溅射方法在LaAlO3（100）基片上制备了电荷有序态锰氧化物Sm0．5Ca0.5MnO3薄膜，X射线衍射分析表明所制备薄膜具有较好的外延特性。测试了薄膜的低电阻-温度关系，表明薄膜在测量温度范围内呈现半导体导电特性。施加磁场和激光辐照均可引起电荷有序态的退局域化，从而导致电阻减小。研究了激光诱导电阻变化弛豫特性，表明电阻随时间的变化符合指数关系，通过拟合得到的时间常数随着温度的升高而增加，分析表明其主要可归结于外在热效应的影响。