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本文简要介绍了GTR(巨型晶体管)芯片设计中高压、大电流、高增益和高可靠性等之间的关系及解决方法。本文首先指出了在GTR设计中高压和大电流、大电流和高增益、大功率和高可靠性等之间的矛盾,给出了高压GTR的一般设计原则;其次,文中给出了BV_(CBo)≥1000V,BV_(CEo)_(3u3)≥880V器件的高阻区掺杂浓度N_c和高阻区厚度W_c的优化设计值及其它X_(iE)、X_(ic)、W_B等纵向设计值的选取范围;第三部分介绍了单片50A GTR的发射区单元图形设计、集成电阻设计及芯片周围所用终端技术