1000V50AGTR的芯片设计

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gaolch013

【摘要】

：

本文简要介绍了GTR(巨型晶体管)芯片设计中高压、大电流、高增益和高可靠性等之间的关系及解决方法。本文首先指出了在GTR设计中高压和大电流、大电流和高增益、大功率和高可

【作者】

：

贾松良张向民

【机构】

：

清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1990年5期

【关键词】

：

巨型晶体管 GTR 功率器件芯片设计

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本文简要介绍了GTR(巨型晶体管)芯片设计中高压、大电流、高增益和高可靠性等之间的关系及解决方法。本文首先指出了在GTR设计中高压和大电流、大电流和高增益、大功率和高可靠性等之间的矛盾,给出了高压GTR的一般设计原则;其次,文中给出了BV_(CBo)≥1000V,BV_(CEo)_(3u3)≥880V器件的高阻区掺杂浓度N_c和高阻区厚度W_c的优化设计值及其它X_(iE)、X_(ic)、W_B等纵向设计值的选取范围;第三部分介绍了单片50A GTR的发射区单元图形设计、集成电阻设计及芯片周围所用终端技术

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