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在不同温度和红外光照下，测量了经中子辐照的单晶硅表面光电压，确定了其深能级的位置和少了扩散长度；由双能级复合理论，推导了中子辐照单晶硅的深能级复合中心和寿命的计算公式；计算了热中子辐照和高能中子辐照单晶硅后的深能级密度，费米能级和其他有关重要参数。
中子辐照的单晶硅参数研究
【摘 要】
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在不同温度和红外光照下，测量了经中子辐照的单晶硅表面光电压，确定了其深能级的位置和少了扩散长度；由双能级复合理论，推导了中子辐照单晶硅的深能级复合中心和寿命的计算公式；计
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1994年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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