【摘 要】
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Ge-based binary chalcogenides including GeSe and GeS have recently emerged as promising photovoltaic absorber materials owing to their attractive optoelectronic properties such as suitable bandgaps of 1.14 eV(GeSe)for single-junction solar cells and 1.7 e
【机 构】
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Wuhan National Laboratory for Optoelectronics(WNLO),School of Optical and Electronic Information,Hua
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Ge-based binary chalcogenides including GeSe and GeS have recently emerged as promising photovoltaic absorber materials owing to their attractive optoelectronic properties such as suitable bandgaps of 1.14 eV(GeSe)for single-junction solar cells and 1.7 eV(GeS)for tandem solar cells as top cells and indoor photovoltaics(IPVs),high absorption coefficient(greater than 104 cm-1),and high carrier mobility(above 100 cm2 V-1 s-1)[1,2].Both GeSe and GeS possess earth-abundant and non-toxic constituents and exhibit great stability in the ambient atmosphere.Xue,Hu and Wan et al.[3]reported GeSe solar cells in 2017 with a power conver-sion efficiency(PCE)of 1.48%.More recently,they further improved the efficiency to a certified 5.2%through a surface passivation strategy[4].However,GeS has only been ex-plored for photodetection and selector device[2,5];no photovoltaic device has ever been reported for GeS,to our best knowledge.
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