氮化硼薄膜的合成

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东京大学农学院研究了一种能在400℃和1个大气压下在硅或金属表面生成氮化硼薄膜的新方法。产品可用作切削刀具。以前制成这种薄膜要求条件很高,需要温度大于1000℃和45000个大气压。 The College of Agriculture at Tokyo University studied a new method for producing boron nitride films on silicon or metal surfaces at 400 ° C and 1 atmosphere. Products can be used as cutting tools. Previously made such films required high conditions, requiring temperatures greater than 1000 ° C and 45,000 atmospheres.
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