【摘 要】
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采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<1120>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体,并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层
【机 构】
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北京天科合达半导体股份有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(2014AA041402);北京市科技新星计划(Z141103001814088);新疆兵团重点领域创新团队
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采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<1120>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体,并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层错缺陷的形貌特征和生长过程中氮掺杂对4H-SiC晶体中堆垛层错缺陷的影响。结果显示,4H-SiC晶片表面的基平面位错缺陷的连线对应于晶体中的堆垛层错,并且该连线的方向平行于<1100>方向。相对于非故意氮掺杂生长的4H-SiC晶体,氮掺杂生长的4H-SiC晶体中堆垛层错显著偏多。然而,在氮掺杂生长的4H-SiC晶体的小面区域,虽然氮浓度高于其他非小面区域,但是该小面区域并没有堆垛层错缺陷存在,推测这主要是由于4H-SiC晶体小面区域特有的晶体生长习性导致的。
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