【摘 要】
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近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS2的光电晶体管被广泛研究.虽然基于单层MoS2的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级.二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且空间均匀的范德华异质结构,是提高二维光电探测器性能的有效途径.基于此本文通过机械剥离转移法构筑MoS2/WSe2垂直pn异质结,其较强的空间电荷区能有效地分离光生载流子,所以在自驱动状态下仍具有较好的光电探测能力,光响应度和探测率分别达到2.12×103 A/W和2.33×1011 Jon
【机 构】
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江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122
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近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS2的光电晶体管被广泛研究.虽然基于单层MoS2的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级.二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且空间均匀的范德华异质结构,是提高二维光电探测器性能的有效途径.基于此本文通过机械剥离转移法构筑MoS2/WSe2垂直pn异质结,其较强的空间电荷区能有效地分离光生载流子,所以在自驱动状态下仍具有较好的光电探测能力,光响应度和探测率分别达到2.12×103 A/W和2.33×1011 Jones,同时极大地缩短了响应时间,响应时间达到40 ms.这种二维异质结器件制备方法简易,性能优异,在光电子领域具有广阔的应用前景.
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