【摘 要】
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据日本《电子材料》1992年第2期报道,日本电气公司为了能在90年代中期实现批量生产256M和64M等半导体快速存储器,率先开发出4种类型存储单元的关键技术,1991年12月在美国华盛
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据日本《电子材料》1992年第2期报道,日本电气公司为了能在90年代中期实现批量生产256M和64M等半导体快速存储器,率先开发出4种类型存储单元的关键技术,1991年12月在美国华盛顿召开的IEDM会议上公开发表。研制的主要技术有:
According to Japan’s “Electronic Materials” 1992 the second report, Nippon Electric Company in order to be able to mass production of 256M and 64M and other semiconductor fast memory devices in the mid-90s, the first to develop the key technologies of four types of storage unit, December 1991 in Public announcement at IEDM meeting held in Washington, USA. The main technologies developed include:
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