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<正>6N—8N高纯镓、铟、砷、磷、碲、镉、汞等高纯元素是制备化合物半导体材料的基础材料,要求严格控Fe、Al、Mg、Si、Cu、Pb、Cd、Zn、Sn、C、H、O、N、Na、K等杂质浓度,为了确保产品质量,很多国家和企业
当代高纯半导体材料分析的进展(二)
【摘 要】
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<正>6N—8N高纯镓、铟、砷、磷、碲、镉、汞等高纯元素是制备化合物半导体材料的基础材料,要求严格控Fe、Al、Mg、Si、Cu、Pb、Cd、Zn、Sn、C、H、O、N、Na、K等杂质浓度,为
【机 构】
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峨眉半导体材料研究所
【出 处】
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四川有色金属
【发表日期】
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1994年03期
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