【摘 要】
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报道了离子辐照损伤对多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅。注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红移,半高宽减小,如果样品被非晶化将不发光,因
【机 构】
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南京大学物理系和固体微结构实验室,南京大学物理系和固体微结构实验室,南京大学物理系和固体微结构实验室 南京 210008,南京 210008,南京 210008
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报道了离子辐照损伤对多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅。注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红移,半高宽减小,如果样品被非晶化将不发光,因此,为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据,制成的图形分辨率达2μm。
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