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通过热氧化氟化锌(ZnF2)薄膜的方法制备出氟掺杂的多晶ZnO薄膜,ZnF2薄膜是利用电子束蒸发方法沉积在Si(100)衬底得到的.利用X射线衍射和X射线电子能谱研究了ZnF2薄膜向ZnO的转变过程.实验结果表明,在400℃退火30 min的条件下能够获得六方纤锌矿结构的ZnO:F薄膜.对ZnO:F薄膜的室温光致发光谱可以观察到位于379 am、半峰全宽为73 meV的紫外发射峰,而相应于缺陷的深能级发射则完全猝灭.表明ZnO中残留的F能够有效地增强激子的发光,同时使缺陷发光强度明显降低.对F掺杂对ZnO