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期刊论文
铝导带薄膜混合集成电路工艺
铝导带薄膜混合集成电路工艺
来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lihao527
【摘 要】
:
在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导事不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最
【作 者】
:
杨成刚
【机 构】
:
国营四四三三厂
【出 处】
:
电子元件与材料
【发表日期】
:
1997年5期
【关键词】
:
真空沉积
刻蚀
金属间化合物
薄膜电路
vacuumdeposition
composite conductionband
etching
intermet
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在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导事不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最终产品失效。采用Al-Ni复合导带可以解决上述问题,并得到满意的结果。
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