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栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管的跨导高达135ms/mm。
电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)
【摘 要】
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栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅
【机 构】
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北京理工大学应用物理系,瑞典查尔摩斯技术大学
【出 处】
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北京理工大学学报
【发表日期】
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1990年S1期
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