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给出了一种低电源敏感度的高速CMOS压控振荡器设计，在延时单元中引入正反馈结构以补偿电源电压变化对输出频率的影响，在TSMC0．25μm CMOS工艺参数下使用Hspice仿真表明，电源变化l％引起的输出频率变化小于0．7％，整体振荡器的输出频率范围为2．01GHz-2．75GHz。
一种具有低电源敏感度的高速CMOS压控振荡器
【摘 要】
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给出了一种低电源敏感度的高速CMOS压控振荡器设计，在延时单元中引入正反馈结构以补偿电源电压变化对输出频率的影响，在TSMC0．25μm CMOS工艺参数下使用Hspice仿真表明，电源变化l
【机 构】
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上海交通大学微纳科学技术研究院
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2007年3期
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