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由中国科学院微电子研究所（以下简称＂中科院微电子所＂）设计研发的绝缘栅控双极晶体管（＂Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT＂）系列产品于日前在华润微电子有限公司（以下简称＂华润微电子＂）的工艺平台上流片成功,各项参数均达到设计要求,
华润微电子IGBT工艺平台通过中科院微电子所产品设计验证成为国内第一条完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线
【摘 要】
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由中国科学院微电子研究所（以下简称＂中科院微电子所＂）设计研发的绝缘栅控双极晶体管（＂Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT＂）系列产品于日前在华润微电子有限公司（以下简称＂华
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2010年5期
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