【摘 要】
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项目批准号 :6 95 76 0 36成果简介 β- Fe Si2 作为一种新型半导体材料 ,具有 Eg=0 .84 - 0 .89e V直接带隙 ,并能在硅表面外延 ,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外
【机 构】
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项目批准号 :6 95 76 0 36成果简介 β- Fe Si2 作为一种新型半导体材料 ,具有 Eg=0 .84 - 0 .89e V直接带隙 ,并能在硅表面外延 ,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源 ,探测器等光电器件 ,并进而发展光电器件与 VL SI及 U LSI的集成提供了可能。该研究抓住了硅基光电
Project Approval Number: 6 95 76 0 36 Summary of Achievements As a new type of semiconductor material, β-FeSi2 has a direct band gap of Eg = 0.84-0.88eV and can be epitaxially grown on the silicon surface. In order to utilize the mature silicon device Process development of silicon-based near-infrared light sources, detectors and other optoelectronic devices, and further development of optoelectronic devices and VL SI and U LSI integration offers the possibility. This research captures silicon-based optoelectronics
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