近日，应用材料推出Applied Endura ExtensaPVD（物理气相沉积）系统，这是业界唯一在亚55nm存储芯片铜互联的关键阻挡层薄膜沉积工艺中具有量产价值的系统。Extensa系统独特的Ti/TiN工艺技术使扩散阻挡薄膜具有高水准的阶梯覆盖率，整块硅片上薄膜厚度的不均匀性<3%。同其他同级别竞争对手的系统相比，它具有最少的缺陷和更低的耗材成本。
　　Extensa系统优秀性能来源于Ti/TiN沉积反应腔所采用的多项PVD技术创新。新型双磁体PVD（化学气相沉积）源极的侧向电磁器具有磁通量整形功能，可以提供无与伦比的阶梯覆盖率，并能将≥0.12μm的微粒控制在10个以下。拥有专利的源极技术也提高了沉积材料的使用效率，并将靶材的使用寿命延长了30%。此外，反应腔的工具套件包括拥有专利的CleanCoa技术，可以方便地进行维护工作和微粒控制。
　　Extensa技术能提供Ti/TiN沉积解决方案，为存储器的两个技术转型提供支持：一个是在铜阻挡层/晶种层应用中用钛基电介质阻挡层取代钽；另一个是采用铜-铝和铜-钨扩散阻挡层来实现铜和铝层以及钨孔道的最具成本效益的整合。
　　更多的应用包括存储器件的接触孔衬垫，以及逻辑芯片的金属栅极和硅化物覆盖阻挡层沉积。Endura架构独特的灵活性使其成为业内唯一能在单独系统中提供整合的铜-铝阻挡层和铝填充解决方案的系统。