【摘 要】
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研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到
【机 构】
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上海交通大学,绍兴文理学院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
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研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。
The feasibility of nickel nanocrystal inlay in MOS (metal - oxide - semiconductor) capacitor structure for nonvolatile memory was studied. Nickel nanocrystals embedded in an oxide layer were prepared. Using electron beam evaporation method, and then through rapid annealing process, to obtain an average size of 7 nm, a density of 1.5 × 1012 / cm2 of nickel nanocrystals. Capacitance changes with frequency curve found significant peaks, the test analyzed the capacitance - voltage and conductance - voltage characteristics. The results show that the electrons remain in the nickel nanocrystals by direct tunneling and are stored in the MOS structure.
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