ZnO纳米棒/MEH-PPV异质结的复合电致隧穿发光

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a287924625
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利用低温水热法生长的ZnO纳米棒(ZnO--NRs),和P型有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)复合制备了结构为“ITO/ZnO晶种/ZnO--NRs/MEH-PPV/A1”的发光器件。测试结果发现,该器件具有非常好的二极管整流特性。对ZnO~NRs/MEH-PPV异质结施加超过17V的反向偏压时,可同时获得两种半导体材料的发光,且ZnO近紫外光(380nm)发射强度远大于MEH-PPV的红橙光强度,发光功率随着反向偏压的增加迅速增强,然而施加正向偏
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