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本文采用提拉法生长了Nd：GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究.扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO6和GdGaO3,观察了因组分过冷产生的位错,并讨论了克服组分过冷的措施.
Nd：GGG晶体生长及组分过冷研究
【摘 要】
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本文采用提拉法生长了Nd：GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究.扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO
【机 构】
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长春理工大学
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2007年3期
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