【摘 要】
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采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出，双异质结外延片也得到了较好的伏－安特性曲线
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采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出，双异质结外延片也得到了较好的伏－安特性曲线．
The mismatch between epitaxial layer and substrate was grown by the liquid phase epitaxy method, and the InAsPSb / InAs epitaxial crystal with constant composition and constant composition of interface was formed with △ α / α≤1.6 × 10-3 interface. Single heterojunction epitaxial layer, a laser output of 3.09μm wavelength was obtained, and a good volt-ampere characteristic curve of the double heterojunction epitaxial wafer was obtained.
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