【摘 要】
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通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变
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通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好,a-Si剩余厚度小于33%之后,TFT的电学特性变差,即工作电流变小,阈值电压变大,迁移率变小。
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