【摘 要】
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在ＺｒＯ２、ＩｎＰ、Ｓｉ及ＳｉＯ２即融凝石英衬底上用氩离子束刻蚀制作面阵矩底拱面状微透镜阵列，给出了氩离子束在不同的入射角度下刻蚀器件的速率与离子束能量之间的关系。实验表明，用国产ＢＰ２１２紫外正型光
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在ＺｒＯ２、ＩｎＰ、Ｓｉ及ＳｉＯ２即融凝石英衬底上用氩离子束刻蚀制作面阵矩底拱面状微透镜阵列，给出了氩离子束在不同的入射角度下刻蚀器件的速率与离子束能量之间的关系。实验表明，用国产ＢＰ２１２紫外正型光刻胶制作的光致抗蚀剂掩膜图形在经过优化的工艺条件下可以通过氩离子束刻蚀将预定图形转移到衬底材料中。
Argon ion beam etching on ZrO2, InP, Si and SiO2 fused quartz substrates was used to fabricate the array of bottom arched microlens arrays. The rate of argon ion beam etching at different incident angles was given And ion beam energy. Experiments show that the photoresist mask pattern made with the domestic BP212 UV positive photoresist can be transferred to the substrate material by argon ion beam etching under the optimized process conditions.
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