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采用电化学阳极氧化法制备多孔硅，考察不同阳极氧化条件下多孔硅孔隙率及膜厚变化规律，分析阳极氧化条件、高氯酸钠溶液浓度及多孔硅贮存方法等对多孔硅／高氯酸钠复合材料爆炸特性的影响。结果表明，多孔硅孔隙率随阳极氧化电流密度增加而增大，当电流密度达到50mA·cm^-2时趋于稳定，当氢氟酸浓度增加时多孔硅孔隙率反而减小，而阳极氧化时间延长时多孔硅孔隙率呈先增加后减小现象，且氧化时间为30min时孔隙率最大；多孔硅膜厚随时间增加而增大，其生长速度为2μm·min^-1左右；当新鲜多孔硅形成后，其