用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:alex_tan01
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在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.
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