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利用水溶法生长了KDP单晶体，系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程，指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项，实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高，会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核；pH值过高，生长的晶体会出现楔化现象，过低则影响生长速率，实验测得pH值为2.2：50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力，提高晶体的光学均匀性，同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷。