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选用电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底结构改善SiGe HBTs频率性能。介绍了器件的结构设计，根据衬底寄生参数模型分析了衬底阻抗影响器件高频性能的原理，计算出器件fT和fmax随衬底电阻率变化的规律。测试结果表明，高电阻率衬底器件比n^＋衬底器件的特征频率fT提高了28％，而最高振荡频率厂fmax提高了47．7％；表明高电阻率衬底基本消除了SiGe HBT中大多数容性寄生网络；通过对器件的最小噪声系数的计算与测试分析，发现高阻Si衬底的引入使器件的噪声系数在低频时几乎不变，在高频时轻微增加。