【摘 要】
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Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4太阳能电池制备过程中Mo基底硒(硫)化反应产生较厚的Mo(Sx,Se1-x)2,以及SnS(e)与ZnS(e)的生成与挥发在Mo/CZTSSe界面处产生的孔洞,是限制器件性能提升的重要原因.针对这些问题,总结了Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞的生成原因及其对器件性能的影响.此外,还综述了金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等材料作为Mo/CZTSSe界面中间层在抑制Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞产生中的作用.最后,展望了该领域未来的研究方向.
【机 构】
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河南理工大学 材料科学与工程学院,河南 焦作454000;许昌学院 化工与材料学院,表面微纳材料研究所,河南省微纳米能量储存与转换材料重点实验室,河南 许昌461000;许昌学院 化工与材料学院,表面
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Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4太阳能电池制备过程中Mo基底硒(硫)化反应产生较厚的Mo(Sx,Se1-x)2,以及SnS(e)与ZnS(e)的生成与挥发在Mo/CZTSSe界面处产生的孔洞,是限制器件性能提升的重要原因.针对这些问题,总结了Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞的生成原因及其对器件性能的影响.此外,还综述了金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等材料作为Mo/CZTSSe界面中间层在抑制Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞产生中的作用.最后,展望了该领域未来的研究方向.
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