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飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出N沟道Power Trench MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC—DC转换器的整体效率。
飞兆半导体推出60V PowerTrench MOSFET器件
【摘 要】
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飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出N沟道Power Trench MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC—DC转换器的整体
【出 处】
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单片机与嵌入式系统应用
【发表日期】
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2011年7期
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