从第41届ISSCC看模拟技术的发展

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wll20071002313
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
从第41届ISSCC看模拟技术的发展东立摘编现已举行了41届的国际固体电路会议(ISSCC),是展示集成电路各个领域最新研究成果的舞台。在今年2月16日至18日在美国旧金山举行的第41届年会上,研究者们详细报告了自己的成果,数字方面有CMOS256M...
其他文献
在互联网飞速发展的背景下,高校的校园文化传播形式也实现了信息化发展。随着高校官方微信公众号的创建和使用,高校的信息共享能力得以加强,但同时也衍生出一些问题,使得高校
在薄膜混合集成电路的制作过程中,由于基片布线版图设计的电阻面积与导线面积的比例失调,薄膜电阻因受工艺加工过程中发烟硝酸去胶和热处理的影响而出现严重的电阻值不成比例
八十年代后期发展起来的硅-锗异质结构材料,得益于成熟的硅技术,正在取得令人鼓舞的成果。采用应变层外延技术,已经获得高质量的Ge_xSi_(1-x)/Si异质膜。这些材料已被应用于
2月7日,为人熟知的本市最大一家新华书店——王府井书店被迫停业一天。原来这天早6时许,值班员突然发现楼内书库有水流出,经查看,3个楼层的书库共有9处暖气破裂,随即采取了断
<正> 7 Ge_xSi_(1-x)/Si BICFET的优化尽量提高△Ev值可最大限度地提高电流增益以及反型沟道中可限制的最大电荷密度,大的反型电荷密度可减小基极电阻并把输出导通减至最小(
本文介绍了ASIC设计自动化最新工具——FPGA开发系统的软、硬件支撑环境,FPGA的概况,特点和基本结构,FPGA系列器件和工作频率以及在微机FPGA开发系统上如何进行ASIC电路的设
5月28日,宣武区召开了全区档案管理定级经验交流会,各街道局处公司主管档案工作的领导、办公室主任及档案员140多人参加了大会。会上,菜
多年来,各级财政部门按照国家有关要求,不断加大对教育的投入力度,使教育经费总规模不断增长,促进了教育事业迅速发展。但教育经费紧缺的矛盾依然十分尖锐,形成这一问题的原因是多
试行租赁制,探讨控制使用单体液压支柱经济效益的途径。