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大的法拉第旋转和波长范围很宽的高透过率表明 Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体在磁光应用方面很有价值。我们已用坩埚下降法生长了纯的和掺杂 BGO∶M(M=Fe,Cr,Ni,W,Mn,Ce,Gd,Er 和 Nd)晶体,并测量了它们的 Verdet 常数和光吸收谱,给出了 BGO 磁光器件原型的初步实验结果。此外,简略地讨论了BGO 的光损伤问题。