【摘 要】
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利用稳懋0.5μmGaAsPHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷（SPDT）开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了
【基金项目】
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国家科技重大专项（2013ZX0300600F002）
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利用稳懋0.5μmGaAsPHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷（SPDT）开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏置点的关系,把开关偏置在最佳偏置点,能显著提升功率容量.所设计的开关,在DC-6GHz范围内,插入损耗小于0.55dB,隔离度大于24dB.在（-7.5V/7.5V）控制电压下,输入1dB压缩点大于34dBm,可用于6GHz频率范围内的各种应用.提出的利用键合线提升开关射
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