微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaozao

【摘要】

：

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列（FPA）探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法（μ-PCD）分别在300K和85K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP／n—InGaAs

【作者】

：

吕衍秋王妮丽庄春泉韩冰李向阳龚海梅

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院研究生院

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2006年5期

【关键词】

：

均匀性 INGAAS 载流子寿命焦平面阵列 μ-PCD技术 uniformity InGaAs carrier lifetime FPA μ-PCD

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外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列（FPA）探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法（μ-PCD）分别在300K和85K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP／n—InGaAs／n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图，并详细论述了这种测试技术的理论基础。在300K和85K时，平均寿命分别为168．2ns和149．4ns，结果与ZnS／n-InGaAs／n-InP的基本一致。寿命变温曲线表明，中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小。μ-PCD法可以非接触无损

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