【摘 要】
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自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来 ,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现 ,其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系 .文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室,中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室,中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室,中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储
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自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来 ,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现 ,其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系 .文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点 ,阐述了其晶化机理 ;同时 ,较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响 ,并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点
Since Ovshinsky used phase-change materials for optical storage, a large number of materials with reversible optical memory properties have appeared continuously, of which two systems, GeSbTe and AgInSbTe, are the most studied.In this paper, At the same time, the effect of the stacking structure of the optical disc and other elements on the performance of the phase change optical disc is expatiated in detail. The two systems of GeSbTe and AgInSbTe In Blu-ray recording their own characteristics
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