【摘 要】
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采用激光加热基座生长法(LHPG)生长出Ta2O5单晶,测量了所生长晶体的介电系数和介电损耗随晶格方向的关系.Ta2O5晶体表现出很强的介电各向异性,并且其介电系数的平均值比Ta2O5
【机 构】
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北京工业大学国家产学研激光技术中心 北京,100022;Materials Research Laboratory,The Pennsylvania State University,PA 16802
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采用激光加热基座生长法(LHPG)生长出Ta2O5单晶,测量了所生长晶体的介电系数和介电损耗随晶格方向的关系.Ta2O5晶体表现出很强的介电各向异性,并且其介电系数的平均值比Ta2O5陶瓷的大许多.Ta2O5单晶的成功生长证明了LHPG技术在生长高熔点晶体方面所具有的独特能力,同时也表明它作为一种特殊的激光材料加工技术在材料科学与工程中将发挥重要作用.
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