【摘 要】
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目的: 建立γ射线辐射诱导支气管上皮细胞恶性转化模型.方法:永生化人支气管上皮细胞BEAS-2B经总剂量22 Gy 60Co γ射线分3次照射后进行传代培养,应用平板克隆实验、血清抗性
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目的: 建立γ射线辐射诱导支气管上皮细胞恶性转化模型.方法:永生化人支气管上皮细胞BEAS-2B经总剂量22 Gy 60Co γ射线分3次照射后进行传代培养,应用平板克隆实验、血清抗性实验、细胞软琼脂集落实验检测该细胞系恶性程度;裸鼠皮下种植辐射细胞检测其成瘤能力,成瘤组织H-E染色及免疫组化进行病理学观察.结果:(1)平板克隆实验表明照射细胞培养至35代后其增殖能力明显增加(P《0.05或P《0.01),血清抗性实验显示照射组细胞在第45代后克隆形成增加(P《0.01),而在照射后50代细胞软琼脂集落的形成能力明显增加(P《0.01),显示BEAS-2B细胞经辐射后出现了恶性转化.(2)皮下种植22 Gy 50代细胞的8只裸鼠50 d后1只成瘤,种植22 Gy 60代辐射细胞的8只裸鼠中有4只成瘤;成瘤组织病理检测及免疫组化证实为上皮细胞癌.结论:成功地建立了60Co γ射线诱导的支气管上皮细胞恶性转化模型.
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