【摘 要】
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据《电子材料》(日)2008年第12期报道,日本Fair Child半导体公司研制了业界最薄的P-ch MOSFET器件。该器件具有优异的电性能和散热性能,符合便携式产品的应用需求,采用1×1.5
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据《电子材料》(日)2008年第12期报道,日本Fair Child半导体公司研制了业界最薄的P-ch MOSFET器件。该器件具有优异的电性能和散热性能,符合便携式产品的应用需求,采用1×1.5×0.4mm WL-CSP封装形式和1.5V下工作是“Power Trench”工艺,有效地控制了开启电阻和基板面积。额定功
According to “Electronic Materials” (Japan) No. 12 of 2008 reported that Japan’s Fair Child Semiconductor developed the industry’s thinnest P-ch MOSFET devices. The device has excellent electrical and thermal performance, in line with the application requirements of portable products, the use of 1 × 1.5 × 0.4mm WL-CSP package and 1.5V work under the “Power Trench” process, effectively controlling the open resistance and substrate area. Rated power
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