【摘 要】
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在普通玻璃衬底上低温 ( 6 0 0℃以下 )制备 poly SiTFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点。采用金属诱导横向晶化法低温研制了 poly SiTFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀对
【机 构】
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在普通玻璃衬底上低温 ( 6 0 0℃以下 )制备 poly SiTFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点。采用金属诱导横向晶化法低温研制了 poly SiTFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly SiTFT性能的影响。
The preparation of poly-SiTFT active matrix liquid crystal displays on ordinary glass substrates at low temperatures (below 600 ° C) is currently a hot research topic. Poly-SiTFT was fabricated by metal-induced lateral crystallization at low temperature. The influence of the etching of active layer before and after crystallization on the performance of poly-SiTFT was analyzed.
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