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在SIMOXSOI材料外延生长硅层时，存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明，SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火，结果表明：合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率，对外延硅层后的SOI材料进行退火，也可以部分降低外延层电阻率，减少外延层中高阻层厚度。
退火对SOI材料电阻率的影响
【摘 要】
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在SIMOXSOI材料外延生长硅层时，存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明，SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火，结果表明：合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率，对外延硅
【机 构】
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苏州科技学院数理学院
【出 处】
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苏州科技学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2008年2期
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