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本文对电子元器件引线贮存一定时间后,可焊性下降的原因进行研究。采用数理统计方法,得出不同铋、锑含量的60焊锡镀层与铜基体间金属间化合物层生长规律。经方差分析,结果表明,微量元素饿与热浸镀温度间的交互作用对化合物生长影响最显著;热浸镀温度对其影响较显著;微量元素锑与热浸镀温度间的交互作用对化合物生长影响次之,微量元素铋的含量以及热浸镀温度和时间的交互作用对化合物生长有定促进作用。并由实验计算出一定老