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对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞（a-MCT）薄膜在真空状态下进行退火，并通过x射线衍射（XRD）技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态。采用双体相关函数甙，）和电学测试系统研究了退火对a—MCT薄膜微结构和光敏性的影响。结果表明：经110℃、115℃和120℃退火后的a—MCT薄膜短程有序畴尺。由退火前的13．9A分别增大至17．9A、20．8A和26．2A；光敏性则由原来的1．17，分别增加至退火后的2．01、2．67和4．25。