【摘 要】
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本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流Idsat和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的Idsat减小4.25%而VTH增
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,三维及纳米集成电路设计自动化技术北京市重点实验室
【基金项目】
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国家03重大专项资助项目(2018ZX03001007-003);北京市技术专项资助项目(Z171100001117147)
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本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流Idsat和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的Idsat减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,Idsat减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的Idsat减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱
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