MBE生长的p—Hg1—xCdxTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率

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本文报道了利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上生长的p-Hg1-xCdxTe异质结,并通过Van der pauw(VdP)方法测量p-Hg1-xCdxTe外延薄膜在不同温度及磁场下Hall系数和电导率,采用最小二乘法对实验数据下行拟合,得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度。
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