论文部分内容阅读
本文报道了利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上生长的p-Hg1-xCdxTe异质结,并通过Van der pauw(VdP)方法测量p-Hg1-xCdxTe外延薄膜在不同温度及磁场下Hall系数和电导率,采用最小二乘法对实验数据下行拟合,得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度。