【摘 要】
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介绍了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片。采用跨导线性环结构增大摆率,具有快速的瞬态响应。控制环路上下通道不匹配,采用单边米勒补偿方式,形成环路主极点和零点,再引入电阻
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介绍了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片。采用跨导线性环结构增大摆率,具有快速的瞬态响应。控制环路上下通道不匹配,采用单边米勒补偿方式,形成环路主极点和零点,再引入电阻R3形成补偿零点,环路整体表示为单极点系统,具有很好的稳定性。该LDO的典型输入电压为1.2V,输出电压为0.6V,负载电容为10μF,具有1.5A的电流抽取和灌出能力,同时集成了2.6A的电流限功能,满足了DDR内存的应用需求。采用0.35μmBCD工艺进行仿真验证,仿真结果表明该设计具有很好的瞬态调整能力和稳定性。
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