用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuantengfei1990
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本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下在Si衬底上外延生长GaAs的初步实验结果.实验表明:As+离子束轰击对于去除Si上自然氧化层是有效的,在衬底温度为550℃得到GaAs单晶. This paper describes the preliminary experimental results of epitaxially growing GaAs on Si substrate at a lower temperature using a new ion cluster beam technique. Experiments show that As + ion beam bombardment is effective for removing the native oxide layer on Si, and the GaAs single crystal is obtained at a substrate temperature of 550 ° C.
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