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采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.
量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响
【摘 要】
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采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发
【机 构】
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北京大学,北京大学,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,北京大学,北京大学,北京大学,北京大学,北京大学
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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2007年z1期
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